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      [新資訊] 臺積電表示明年第2季度開始批量生產5nm芯片

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      Lacy 發表于 2019-10-24 11:00:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

      IT天空 定制版高速U盤 64G/128G/256G | 固態U盤 256G Pro


        臺積電的5nm(N5)制造技術預計將在性能,功耗和面積縮小方面帶來顯著優勢,臺積電希望有大量客戶采用這種工藝。而且,臺積電預測客戶對5nm工藝有強勁需求,因此加速安裝全新生產設備,臺積電相信其5nm工藝部署速度將比7nm(N7)工藝更快。

        為了提高產能,臺積電最近將2019年資本支出從100億-110億美元增加至140億-150億美元。臺積電特別投資為其尖端節點購買設備,例如,ASML生產的Twinscan NXE步進掃描系統,用于對選定層使用極紫外光刻(EUVL)工藝。目前,臺積電的Fab 15正在使用N7+工藝制造SoC,而其Fab 18(第一階段設備安裝已于2019年3月完成)正在按計劃從2020年第2季度開始大批量生產N5工藝芯片。

        未來幾個月將購買的新工具預計將在2020年安裝,屆時該公司將能夠利用其N7、N7+、N7P、N6、N5和N5P工藝技術快速提高芯片產量。該公司對其5nm工藝市場份額充滿信心。

        N5及其使用EUVL前代產品之間主要區別在于,它將在多達14層上使用EUVL(在N7 +和N6的情況下為4層和5層)。因此,N5產品將增加最新設備的使用率,并在一定程度上證明EUV工具和生態系統是否已準備就緒。目前,臺積電似乎對EUVL非常樂觀。它使用的光源提供超過250瓦的輸出功率,并達到了可用性的目標。


















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